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SUP50020E-GE3  与  IPP024N06N3 G  区别

型号 SUP50020E-GE3 IPP024N06N3 G
唯样编号 A-SUP50020E-GE3 A-IPP024N06N3 G
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.4mΩ
上升时间 - 80ns
Ciss - 17000.0pF
Rth - 0.6K/W
Coss - 3700.0 pF
栅极电压Vgs - 3V,2V,4V
封装/外壳 TO-220AB TO-220
连续漏极电流Id - 120A
工作温度 - -55°C~175°C
配置 - Single
QG (typ @10V) - 206.0 nC
Ptot max - 250.0W
长度 - 10mm
下降时间 - 24ns
高度 - 15.65mm
Budgetary Price €€/1k - 1.34
Moisture Level - NA
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 250W
典型关闭延迟时间 - 79ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
典型接通延迟时间 - 41ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SUP50020E-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

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IPP024N06N3GXKSA1_10mm TO-220

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